分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，也是一种特殊的真空镀膜工艺。外延是一种制备单晶薄膜的新技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。
分子束外延（Molecular Beam Epitaxy）是一种物理沉积单晶薄膜的方法，能够精确控制外延薄膜的厚度、成分，实现亚单原子层精度的生长。
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目前,激光分子束外延(LMBE)是制备高质量薄膜的优选方法,可实现薄膜的二维层状生长,精确控制薄膜的厚度和成分,进行原位实时检测与分析,达到薄膜原子尺度的外...
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激光分子束外延 laser molecular beam epitaxy ; Laser MBE ; LMBE ; L-MBE
分子束外延生长 MBE ; Molecular beam epitaxy
分子束外延设备 MBE
分子束外延法 MBE ; epitaxy method ; MBE-Molecular Beam Epitaxy
有机分子束外延 organic molecular beam epitaxy
硅分子束外延 silicon molecular beam epitaxy
金属有机物分子束外延 MOMBE
分子束外延技术 Molecular Beam Epitaxy ; MBE
激光分子束外延系统 LMBE
The former mainly includes sputtering, PLD(pulse laser deposition) and molecular beam epitaxy, while the latter includes chemical vapor deposition, spray pyrolysis and sol-gel methods and so on.
前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等。
参考来源 - ZnO薄膜的制备方法、性质和应用Especially the MBE technology is at the important position in the VCSEL growth.
特别是分子束外延技术，它在生长VCSEL器件中占有非常重要的地位。
参考来源 - 垂直腔面发射激光器的研制及其特性分析·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
本文首先详细介绍了分子束外延设备的原理和构造。
Firstly, the theory and fabrication of molecular beam epitaxy are described in detail.
本文报道了金属有机源分子束外延设备的设计方案和技术特点。
The design and technical points of a molecular beam epitaxy apparatus with metal-organic source were described.
此外，分子束外延生长、激光消融等制备方法也有一定的应用。
In addition, such preparation methods as molecular beam epitaxy and laser ablation also see some applications.
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