击穿强度又称介电击穿强度。表示材料在电场作用下，避免被破坏(击穿)所能承受最高的电场强度：通常用试样击穿电压值与其厚度(两电极板间试样平均厚度，涂料为漆膜)之比表示，单位为kV/m。不少高分子绝缘材料在液氮和液氦温度下的击穿强度数值相差不大,故液氮温度下的击穿强度数据亦可供设计液氦温度下工作的电气设备时参考。低温下的击穿试验方法尚无统一标准。
...the tape）：硅胶 拉伸强度（TensileStrength）：≥140N/25mm 断裂伸长率（Elongation）：≥40% 击穿强度（Breakdown strength）：≥150N/25mm 耐电压（Withstand Voltage）：5KV 1800剥离力（Adhesion）：5-6N/25mm *以上数据为实验抽检数据，仅供参考。
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极限强度击穿强度 breaking strength
电气击穿强度 electrical breakdown strength
临界击穿强度 critical breakdown strength
直流击穿强度 DC breakdown strength
介电击穿强度 MV/m
电击穿强度 KV
击穿电场强度 breakdown electric field strength ; disruptive field intensity ; breakdown field strength
击穿电压强度测试 DIELECTRIC STRENGTH APPARATUS
高聚物的击穿电压强度 disruptive voltage strength
With the increasing of x, the breakdown strength of the samples increased first and then decreased.
击穿强度随着x的增大先提高后下降。
参考来源 - SrTiOTantalum pentoxide (Ta_2O_5) is a possible candidate because of its relatively high dielectric constant, low leakage current, high breakdown strength and process compatible.
Ta_2O_5薄膜具有较高的介电常数，低的漏电流密度，高的击穿强度，和传统工艺兼容性好等优良特性。
参考来源 - VLSI用栅介质Ta·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
适量纳米Al2O3可以提高材料的电击穿强度。
And proper content of nano-Al2O3 could improve dielectric breakdown strength of these composites.
在硅铝共掺杂的薄膜中，当硅铝总含量为8%时杂化薄膜的击穿强度下降最少，薄膜的热分解温度达到最高值。
When the nano-particles' weight content was 8%, the drop of breakdown strength reach smallest value and the thermo-decomposed temperature reach the highest value.
ASTM D149固体电绝缘材料在工业电源频率下的介电击穿电压和介电强度的试验方法。
Standard Test Method for dielectric breakdown voltage and dielectric strength of D149 ASTM solid electrical insulating materials at industrial power frequencies.
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