不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first(先栅极)工艺流派和以英特尔为代表的Gate-last(后栅极)工艺流派，尽管两大阵营均自称只有自己的工艺才是最适合制作HKMG晶体管的技术，但一...
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高电介质先加工栅极 high-k gate-first
先栅极
Pre-gate
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本文先介绍了基于功率MOSFET 的栅极电荷特性的开关过程；
In this paper, the switching process of power MOSFET is introduced based on its gate-charge characteristics.
youdao
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