2000年,Diet1在齐纳模型(Zener model)的框架内预言了基于宽禁带半导体的稀磁半导体的居里温度可以达到甚至超过室温。
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In the present, based on the ZENER model, the Curie temperature of the DMS materials was studied.
计算结果证明：同种基质材料掺杂不同的金属元素，低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。
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