【正文快照】： ZnO(zinc oxide)属直接宽禁带II-VI族半导体材料,为六方纤锌矿结构(wurzite hexagonal structure),室温下具有很大的禁带宽度约为3·30 eV,且自由激子束缚能高达60 meV,是室温热离化能(26 meV)的2·3倍。
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wurzite hexagonal structure
纤锌矿六角形结构
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