该Flash芯片具有写缓冲(write buffer)模式和异步页读(Asynchronous Page Mode)模式,数据宽度可在8 bit和16 bit之间选择。
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write buffer register 写入缓存器
WBR Write Buffer Register 写入缓存器
wbr r write buffer register 写入缓存器
write buffer Memory 写缓冲存储器
WBR Write Buffer Rebasiser 写入缓存器
Write PoST Buffer 写后数据缓冲区
Write Combine Buffer 写归并缓冲区
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