如申请专利范围第32 项所述之形成半导体元件的方法，其中该顶盖层是由包括钨(W)、 氮化钨(WNx)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钛(Ti)或氮化钛(TiNx)之材料所形成。 34.
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The variation of structure information of tungsten nitride (WNx) with nitrogen con - tent is observed.
报道了扩散阻挡层材料氮化钨的结构特性随组分变化的情况。
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