此外,氧空位（V0）和中性锌空位(VZn)是ZnO的两个常规缺陷。在富氧条件下制备的ZnO晶体或薄膜中,常常可以观察到黄光发射,该发光过程涉及激发电子和深俘获空穴的复合。
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ZnO薄膜所包含的缺陷包括Zn空位(VZn),氧空位(Vo),填隙Zn(Zni),填隙氧(Oi)和错位O(OZn).在ZnO中,Zn空位(VZn)是一个负电中心,其作用是在价带顶上产生一个浅.
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