...储装置，各存储单元均由一只选择晶体管(T)和一只存储电容器(Cferro)构成，电容器的一个电极(PL)处于固定的单元极板电压(VPLATTE)，而另一电极(SN)与选择晶体管(T)的具有第一导电类型的第一区(1)连接，其中在与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体衬底内或...
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