042x Strained Si Relaxed Si 1-x Ge x biaxial tension (a) (b) 2 µm 13 图2-10 利用此应变矽当一虚拟基板(virtual substrate)制作元件 图2-11 松弛矽锗则是利用渐变(graded)增加锗浓度，以求降低缺陷(dislocation) Strained Si Si1-xGex Si Graded SiGe Si...
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SiGe virtual substrate SiGe虚拟衬底
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