...替代的包装;系列:DeepGATE™,STripFET™ VII;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;...
基于29个网页-相关网页
...NDS0605-NL场效应管产品参数及功能如下: FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V0.18A 电流 - 连续漏极(Id)(25° 时):780mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V 不同 Id,Vgs 时...
基于12个网页-相关网页