在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中...
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重要研讨内容以下：起首，扼要引见了垂直导电功率场效应晶体管(VDMOSFET)的研讨近况和成长汗青；然后引见了VDMOSFET功率器件的根本构造和任务道理及VDMOSFET的特征参数。
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...有整流作用的二级管(Diode),可作为开关或线性放大应用的BJT、MOSFET、结型场效应晶体管(JFET)、垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET),以及主要作为开关应用的晶闸管(Thyristor)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。
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The optimal design of structure and layout for9926dual N-channel enhancement mode VDMOSFET is presented.
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。
A high reliability smart power VDMOSFET of high voltage with over current protection by oneself is descrital in the peper.
本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率VDMOSFET，已研制出了漏源击穿电压大于200V；
A new approach to improve the high-voltage vertical double-diffused MOSFET (VDMOSFET) body-diode recovery speed is proposed.
提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法。
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