...替换 2n60 替换 瑞新电子股份公司 替换MIC2775 TOREX特瑞仕XC6106/XC6116替换MaximSemiconductorMIC2775MIC2775特征：电源（VDD）：+1.5V～+5.5V；输入电压（VIN）：-0.3V～+6.0V；环境温度范围：-40℃～+85℃；封装热阻：256℃/W。
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...。降低SRAM的功耗,可以有效地提高整个系统的性能、可靠性和成本。SRAM功耗主要包括动态功耗和静态功耗两部分。动态功耗包括读写操作中信号的转换,例如字线译码、位线充放电、灵敏放大、输出驱动等。静态功耗即电源和地导通时所消耗的功耗。当电路不工作时,漏电流也会流过电路,因此,静态功耗也可以指漏电流功耗。随着工艺的不断进步,电源电压(VDD)也随之降低,漏电流急剧增大,漏电流功耗成为总功耗中相当大的一部分,在某些情况下,甚至已经远远超过动态功耗。
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超低功耗，使用寿命长二、电气参数1、不联网工作电压（四节五号电池供电）电源电压(VCC)：6.00伏工作电压(VDD)：3.80伏 6.50伏工作电流静态电流： 10微安 20微安电流峰峰值：130毫安2、联网 工作电压（网络供电）电源电压(VCC)：8.00伏 12.0...
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VDD VisualDisplayData 可见显示数据
multi-Vdd 电压 ; 多电压域
VDD VirtualDeviceDriver 虚拟设备驱动器
BOOST-VDD 升压电路电源输入
VDD GND 电源引脚
VDD-MEM 存储器供电
VDD-PADS 缓冲器供电
VDD-RADIO 音频供电
VDD-VBOUT 电池电压输出
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