借鉴VCSEL的垂直腔结构特点,一种垂直腔半导体光放大器(VCSOA)的可行性在1994年率先由Tombling等[7]提出,指出VCSOA可以克服传统半导体边发射光放大器(SOA)的两个缺点
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The efficient cavity length of vertical cavity semiconductor optical amplifier (VCSOA) is calculated with the theory of phase penetrating.
同时，利用相位渗透理论，数值计算了垂直腔半导体光放大器（VCSOA）中的有效腔长。
Based on the beam interferential theory of Fabry-Perot semiconductor laser, a bistable model of vertical cavity semiconductor optical amplifier (VCSOA) was established.
基于法布里珀罗(F P)腔光束干涉理论，建立垂直腔半导体光放大器(VCSOA)的双稳模型。
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