饱和电压(VCESAT)，饱和抵抗(RSAT)和负载电流全都影响着放大器输出电压的摆幅。
基于108个网页-相关网页
注意；T6、T7大电流（﹥ 1000ma） 时的电流放大系数（β） 和较低的饱和压降（VCEsat）是提升输出幅度的重要因素。
基于18个网页-相关网页
英飞凌的IGBT在70微米的晶圆上制造而成，从而有效改善了IGBT的导通压降（Vcesat）和器件的热特性。
基于16个网页-相关网页
...）。但所述公开文件也在存在明显缺陷。首先由于浮空状态第二导电类型区域非活性区的存在降低了沟道密度，使得导通压降（Vcesat）降低额度有限；其次，由于第二导电类型区域非活性区为浮空状态，在器件承受耐压时，第二导电类型活性区与非活性区电位不一致，因...
基于14个网页-相关网页