本文着重介绍了半导体雪崩光电二极管(APD)的研究现状和应用,以及一种新型的单光子探测器—真空雪崩光电二极管(VAPD)的结构,原理和特性.同时将光电倍增管(PMT)、半导体雪崩光电二极管和真空雪崩光电二极管)的性能进行了比较.
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...性 •光电倍增管(PMT) •雪崩光电二极管（APD） •增强型光电极管 (IPD) •微通道板(MCP) •微球板(MSP) •真空光电二极管(VAPD) 2.2 用于单光子计数的光电器件： SPCM 2.3 2.3 光电倍增管 光电倍增管(PMT) (PMT)的优点 的优点 1.
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放电稳定、阴极材料蒸发离化率高、离子能量高和沉积速率快的阴极真空弧放电等离子体沉积(VAPD) 技术已广泛地用于沉积金属膜、类金刚石膜、TiN 膜和半导体膜等薄膜或涂层的制备。
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目前已用于单光子探测的器件有:雪崩光电二极管(APD),光电倍增管(PMT),真空雪崩光电二极管(VAPD),增强光电二极管(IPD),超导单光子探测器(SSPD)和超导转 【作者单位】：中国电子科技集团公司第二十七研究所 【分类号】：TN247 下...
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