本文中,我们成功的利用超高真空化学气相沉积(UHVCVD)在超薄SOI衬底上生长了厚度110nm高质量的应变Si<,0.82>Ge<,0.18>薄膜,超过了在体Si上外延同样薄膜的临界厚度.
基于176个网页-相关网页
...压化学气相沉积（LPCVD）、金属有机化合 物化学气相沉积（MOCVD）、超声波化学气相沉积（UWCVD）、超真空化学气相沉积 （UHVCVD）等。
基于4个网页-相关网页
UHVCVD SYSTEM 超高真空化学气相沈积系统
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动