这一问题主要集中在人们对FG 器件隔离层， 尤其是隧穿氧化层（Tunneling Oxide）的要求存在较大矛盾，即随着器件尺寸的持 续缩小，一方面，人们希望隧穿氧化层必须足够薄，以提供器件快速写入和擦除 （Programm...
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然而，传统浮动闸极记忆体有个主要的限制：图一中的穿隧氧化层(tunneling oxide)必须符合元件 缩小及密集化的要求，因此同时要在达到氧化层厚度减少(增快存取速度)与维持适当存取次數之厚 度(可靠度)的要求之间...
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fluorinated tunneling-oxide f化隧穿氧化层
The time dependent dielectric breakdown of tunneling oxide used for EEPROM's is investigated.
阐述了应用于EEPROM中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性。
The traps are easily generated because of poor quality of TEOS. Besides, high electric field due to the horn of the channel could seriously damage the tunneling oxide.
再加上因为通道尖角造成的局部大电场会对穿隧氧化层造成极大的伤害，所以特性并不理想。
Secondly, the transient characteristics of FN tunneling and hot hole (HH) stress induced leakage current (SILC) in ultra-thin gate oxide are investigated respectively in this dissertation.
其次，本文分别研究了FN隧穿应力和热空穴（HH）应力导致的超薄栅氧化层漏电流瞬态特性。
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