...公司合作开发新一代MRAM，使用了一种称为自旋转移矩(spin-transfer-torque,STT)的新型技术，利用放大了的隧道效应(tunneleffect)，使得磁电阻的变化达到了1倍左右。
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4.3 量子理论 理论中，粒子有可能在有限机率下发生“穿隧效应”（Tunneleffect）或称“量子跳跃”（Quantumleap），因而穿透不可渗透的障碍物。
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