{饱和区 | 截止区 | 欧姆区 | 三极管区 ( triode region )} 若 N 通道 MOSFET 之参數为 Vth = 1V，W / L = 40，且 ，欲得到饱和区 1mA 之汲极电流 ( drain current )，则元件之转导值 (.
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...功率放大器的功率输出级和预先驱动级，且因为非线性架构下的F类功率输出级电晶体是做开关，其操作区间在 三极区 ( triode region )和关闭区(cut off region)，所以须将驱动讯号提升至适当准位，须有预先驱动级将讯号放大并做整流。
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随著汲极电压 增加，电晶体先处于三极体区(triode region)或称为线 性区(linear region)，如果我们将电压继续加大，电流 值会趋于饱和狀态，电流不再增加，此时的电流称为饱 和电流(satur...
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... equation)，导出考虑电子温度的电子移动率 (electron mobility) 模型，接著分别讨论 DTMOS 元件偏压在 线性区 ( triode region ) 和饱和区 (saturation region) 的汲极电流模型， 分析中显示 DTMOS 元件的汲极电流远大于一般 MOS 的汲极电流。
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