Cu-11将具备嵌入沟槽电容（trench-capacitor）的DRAM特性。 IBM将提供可做quick-turn工程改变空间的门阵列，并提供高性能、高密度的逻辑组件库选择，以及基板、陶瓷、塑料BGA与...
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The trench linewidth difference provides an efficient method for fabricating the trench capacitor and the trench resistor.
沟槽线宽差异提供了制造沟槽电容器和沟道电阻器的有效方法。
A structure and a method for fabrication of the structure use a capacitor trench (ct) for a trench capacitor and a resistor trench (RT) for a trench resistor.
一种结构和该结构的制造方法使用用于沟槽电容器的电容器沟槽(CT)和用于沟槽电阻器的电阻器沟槽(RT)。
In a first instance, the capacitor trench (CT) has a linewidth dimension (LWC) narrower than the resistor trench (RT).
在第一实例中，电容器沟槽(CT)具有比电阻器沟槽(RT)更窄的线宽尺寸(LWC)。
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