time dependent dielectric breakdown test 电介质随时间变化破坏试验 ; 时间延迟测试
TDDB Time Dependent Dielectric Breakdown 介电质层崩溃的时间依存性
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The time dependent dielectric breakdown of tunneling oxide used for EEPROM's is investigated.
阐述了应用于EEPROM中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性。
youdao
TDDB(time-dependent dielectric breakdown)is a key method to value the quality of thin gate oxide.
经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。
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