文摘： 提出了一种含缓冲层的沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的瞬态解析模型。该模型不仅考虑到TIGBT的高掺杂缓冲层处于小注入状态,分析了缓冲层对TIGBT关断特性的影响,而且还考虑了糟底电子...
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绝缘栅双极晶体管(Insulation Gate Bipolar Transistor)
隧道泵高速绝缘栅双极晶体管（TIGBT）其特征在于采用 了含有隧道泵的硅片直接键合（SDB）材料作为衬底（10 ），衬底（10）的下部为P↑［+］高浓度硅单晶材料（9 ），上...
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