Film etching method] 本发明为一种薄膜刻蚀方法，是应用于一半导体或薄膜晶体管阵列(TFT Array)的薄膜制造流程中，用以改良现有刻蚀后产生倒角(Undercut)的问题， 或使刻蚀后的薄膜形状更加的完美。
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tft array
tft阵列
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