隧穿场效应晶体管(TFET)是有前景的器件，因为它们由于急剧变化的阈下斜率而有希望产生显著的性能增加和能量消耗降低。
基于414个网页-相关网页
...或者浪费的情况。 对目前极其耗电的硅场效应晶体管的一种潜在替代品是所谓的陡坡设备。它们能以非常低的电压运行，从而消耗明显少的功率。 为了减少电子产品的能耗，IBM的科学家们正在研究隧道场效应晶体管（TFET）。在这种特殊类型的晶体管中，“带-带”隧穿的量子力学效应被用来驱动电流流过晶体管。
基于7个网页-相关网页
最后,我们用TCAD工具模拟了隧穿晶体管(TFET)的特性,考察了TFET器件的可靠性并与传统MOSFET做了比较。
基于6个网页-相关网页