...TaN阻挡层。而且，当前的研究表明一个Ru层还可以替代Cu晶种层，并且块Cu填充物可以在Ru沉积之后直接进行。这一结果是由于Cu和Ru层之间良好的粘附。 传统上，Ru层可以通过在热化学气相沉积(TCVD)工艺中热分解诸如羰基钌前驱体之类的含钌前驱体来形成。当衬底温度降低到低于约400℃时，通过羰基金属前驱体(例如Ru3(CO)12)的热...
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...得到了更高催化活性的催化剂颗粒,加速了活性碳原子在催化剂中的迁移,从而提高了碳纳米管阵列的生长速率,但目前还没有找到更有力的证据。另一方面,随着铁膜的增厚其密度有显著的增加,因此碳纳米管的密度也随之增加。由于碳纳米管之间范德瓦尔斯力的作用,碳纳米管的密度越高,其准直性就越好。同时,在相同生长条件下,由于碳源气体供应速率是相同的,碳纳米管准直性的提高必然使得碳管阵列的高度增加。4结论热化学气相沉积法(TCVD)制备定向碳纳米管薄膜阵列,催化剂薄膜的氨气预处理是非常关键的。
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采用热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition,TCVD)在经过高温氨气处理后的硅基铁纳米薄膜表面实现片状碳纳米带的催化生长。通过场发射 .
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