亚微米尺度
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submicron scale mos device 亚微米尺寸金属氧化物半导体掐 ; 亚微米尺寸金属氧化物半导体器件
In deep submicron era, IC design in physical design has more and more challenge, with the increasing design scale, faster clock frequency and minimizing process dimension.
在深亚微米时代，随着设计规模变大，时钟频率越来越高以及工艺尺寸的减小，IC物理设计面临着诸多困难。
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