strained silicon technology
...特尔的九十纳米通讯制造工艺与英特尔九十纳米逻辑制造工艺的基础技术基本相同，包括使用应变硅技术(strained silicon technology)的高性能、低功耗数字CMOS晶体管，带有新型低温(low-K)电介质的七层铜互连层以及一平方微米的SRAM单元。
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strained silicon technology
应变硅技术
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The technology will be based on a planar process with enhanced high-K metal gate (HKMG), novel strained silicon, and low-resistance copper ultra-low-K interconnects.
该技术将基于一个具有增强的高- k金属闸（HKMG平面工艺），新型应变硅，低电阻铜超低K互连。
youdao
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