由于适用于较大的深宽比(aspect ratio)及良好的阶梯覆盖率(step coverage),铜薄膜的化学气相沉积研究就受到了广泛的关注,是令人感兴趣的课题之一。 主要参考文献: 1 Chang C.
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...(Silane) & TEOS (Tetraethyl Orthosilicate),但利用TEOS配合LPCVD來进 行沈积之氧化层,因其较佳之阶梯覆盖性 (Step Coverage),将为本制程所采用,但其 用來解離TEOS之温度偏高(650~750℃),可行 之解决方式有二:一为借由PECVD之电浆來将 TEOS解離,另一方...
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... 等离子生成技术,在抑制了悬突(Overhang,嵌入铜的孔开口部因晶种层较厚而缩小的现象)的同时,还改善了台阶覆盖(Step Coverage)。从而优化了离子密度与能量的均衡。
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conformal step coverage 好保角步阶覆盖性质
aluminum step coverage 氧化物台阶的铝笼罩 ; 氧化物阶梯的铝笼罩
step-coverage [电子] 台阶覆盖
Methods for high temperature deposition an amorphous carbon film with improved step coverage are provided.
提供了一种以提高的台阶覆盖率高温沉积非晶碳膜的方法。
The films have advantages of slightly compressive stress, very low pin-hole density and superior step coverage.
这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点。
Therefore, the substrate temperature was the main factor which obviously affected the atoms distribution and step coverage of Al thin films.
衬底温度决定原子的表面迁移率,衬底温度是影响淀积的铝膜的均匀性和台阶覆盖能力的主要因素。
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