关于这种现象的成因已经进行了很多研究，其中一种被普遍接受的解释认为位错（Dislocations）和堆垛层错（Stacking Faults）是导致器件正向特性退化的重要因素之一【8】【9】。
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25SiC 关键字: 复合材料； 超塑性； 位错； 晶界； 层错；孪晶[gap=1156]Key words: composites; superplasticity; dislocation; boundary of grain; stacking faults; twin crystal
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...薄雾(haze)：反应气体中残馀的氧或系统中的漏泄造成的污染 尖凸(spikes)：表面污染造成局部膜加速成长 堆叠瑕疵(stacking faults)：环绕成长平面的原子差排引发不同成长平面 磊晶层 尖凸 底材 侧视图 上视图 图12.30 磊晶成长成尖凸 图12.31 在<111> 方向的...
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concentration of stacking faults 堆跺层错密度
intrinsic stacking faults 内禀层错
stacking faults in structure 层错结构
Nb additions promoted the formation of lamellar structure and a large amount of stacking faults and dislocations, but did not change the thickness of the lamella.
Nb的添加促进了快速凝固TiAl基合金中堆垛层错和位错等缺陷的形成。
参考来源 - 快速凝固TiAl基合金的组织演变研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The effect of RTP conditions on bulk stacking faults (BSFs) and denuded zone (DZ) was investigated.
研究了不同RTP条件对快中子辐照掺氮硅中体缺陷和清洁区的影响。
The displacement vectors of the stacking faults were determined by the disappearing image laws of the faults.
根据层错的消像规律，确定了各个层错的位移矢量。
The behavior of oxidation-induced stacking faults (OSF) in NCZ and CZ silicon single crystal was investigated.
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶，研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错（OSF）的行为。
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