本发明总体上涉及应变绝缘体上硅(SSOI)结构，以及用于制造该结构的方法。该方法包括SSOI结构的高温热退火以提高应变硅层的结晶度，同时保持其中存在的应变。
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...料的应用是缩小尺寸、提高器件的性能的一种选择[1]， 新型衬底材料，尤其绝缘层上应变硅（strained silicon-on-insulator，sSOI），被普遍认为是提高Ion/Ioff比以及跨导（transconductance）最有前途的方法[1-...
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...人们将已经成熟的绝缘 体上硅（SOI）技术和应变硅技术相结合，而形成新的绝缘体上的应变硅（Strained SilicononInsulator，SSOI）技术，不但可以降低SiGe衬底带来的合金散射，还可 以解决由于SiGe衬底厚度所带来的光刻方面的问题...
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...人们将已经成熟的绝缘 体上硅（SOI）技术和应变硅技术相结合，而形成新的绝缘体上的应变硅（Strained SilicononInsulator，SSOI）技术，不但可以降低SiGe衬底带来的合金散射，还可 以解决由于SiGe衬底厚度所带来的光刻方面的问题...
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