自加热效应的影响在绝缘体上硅（SOI），硅 - 锗 - 上绝缘体（SGOI），并的应变硅直接上绝缘体（SSDOI）金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） ，使用蒙特卡洛模拟器自洽与溶液中的热扩散方程耦合。
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晶体管美国IBM公司近日宣布，他们首次成功利用 绝缘体上硅 （SSDOI）技术设计出硅锗双极 晶体管，其速度达到现有硅锗双极
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