单源化学气相沉积（SSCVD）是制备Zn0薄膜的一种新型的重要的化学方法。 与传统的CVD工艺将反应物由气相引入到真空室发生反应形成薄膜不同，它是以 固相有机...
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固体源化学气相沉积生长ZnO材料 利用固体源化学气相沉积(SSCVD),作者也实现了ZnO的P型转变,电阻 率也可以达到~101l'2cm。N掺杂P型ZnO薄膜具有(100)和(110)的混合取 向,为网状薄膜。
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...O Thin Film; 以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Singlesourcechemicalvapordeposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样..
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...84)，Johnson(1986)XPS，ARUPS的实验结果吻合。 ZnO薄膜的自组织设计及形貌控制 免费阅读 下载全文 采用单源化学气相沉积(SSCVD)法，在Si(100)基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度，获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。
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