SST-AP China 蚀约为180°的弧形。相移层的宽度设计为56nm@1×，并没有在任何节距间加入光学临近校正OPC层。同时还设计了亚分辨率辅助图形（subresolution assist features, SRAF），掩膜图形结构是将一铬层置于石英台面上。在CPL掩膜上所采用亚分辨率辅助图形SRAF由石英平台上的铬
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...常用的分辨率增强技术包括离轴照明和使用相移掩膜版，以及在掩膜上增加亚分辨率辅助图形（sub-resolution assist feature，SRAF）。 存储器芯片的核心区域是具有高度周期性的相同图形阵列，以固定的间距重复排列。
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