...未反应的镍层，并进行一第二快速热工艺，以形成具有镍硅化物的半导体元件，其中上述第二快速热工艺包括一峰值退火(spike anneal)工艺，且其工艺温度介于400至600℃。
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而加热处理过程中我们使用的尖峰退火技术（spike anneal ）则不会对ETSOI层的结构造成不必要的损害。”
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spike anneal
高峰退火
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