硒化锡(SnSe)是一种主要的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙p型半导体资料,其体相资料的直接带隙年夜小为1.3eV,直接带隙年夜小为0.9eV,在太阳能电池的最优带隙值区...
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该薄膜材料采用脉冲激光沉积法制备获得，硒化亚锡(SnSe)薄膜的粒子尺寸为15-50nm，晶体结构属于正交晶系。薄膜电极的比容量为681mAh/g，在反复充放电过程中呈良好的稳定性。
tin selenide crystal SnSe 硒化锡晶体
SnSe nanorods SnSe纳米棒
tin selenide SnSe 硒化锡
compound semiconductor SnSe SnSe半导体薄膜化合物
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