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  • 突发击穿

网络释义专业释义

  突发击穿

突发击穿

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  • 突发击穿 - 引用次数：1

    参考来源 - Snapback应力对90nm nMOSFET栅氧化层完整性的影响 Effect of Snapback Stress on Gate Oxide Integrity of nMOSFET in 90nm Technology

·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress

双语例句

  • Diffused resistor model under ESD stress in linear, saturation, multiplication and snapback, and secondary breakdown regions was analyzed.

    对ESD应力下扩散电阻的四个区域：线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析。

    youdao

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