...成晶体体管开启的状况下,从S极(源极)到D极(漏极)的泄电量大幅度减低而从金属栅极到形成晶体 体硅衬底 ( Silicon Substrate )的驱动电流效率晋升20%以上数值表白,45纳米晶片每传世私服秒钟可以兴许进行约三千亿次的开关动作,即形成晶体体管的能晋升20%...
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v groove silicon substrate 型槽硅衬底
silicon substrate loss 硅衬底损耗
silicon substrate IC's 硅衬底集成电路
doped silicon substrate 掺杂的硅衬底上
crystal silicon substrate 单晶硅衬底
Chemomechanical polishing(CMP)technology of silicon substrate inULSI is introduced in this paper.
介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺。
参考来源 - ULSI硅衬底的化学机械抛光技术·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
Conventional transistors use a metal electrode, called the gate, to control the flow of electrons through a planar channel in the silicon substrate.
传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极,以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。
SOI refers to the use of a layered silicon-insulator-silicon substrate in IC manufacturing, which is said to reduce parasitic device capacitance and improve performance.
SOI指的是在IC的制造过程中采用硅+绝缘层+硅的硅基体结构方式,这种结构方式的优势是可以减小器件的寄生电容并改善器件的性能。
The insulating layer is positioned on a first surface of the silicon substrate.
该绝缘层位于该硅基材的第一表面。
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