polycrystalline silicon layer 多硅晶体层 ; [电子] 多晶硅层
single crystalline silicon layer 单晶硅层
Epitaxial Silicon Layer 磊晶硅层 ; 成长一层硅磊晶层
porous silicon layer 多孔硅层
top silicon layer 顶部硅层
crystalline-silicon layer 根据论文所述
silicon-dioxide layer 二氧化硅层
high silicon surface layer [材] 高硅表面层
Most of equipment vendors add silicon layer to reduce and avoid metal contamination, which can work obviously only in short term.
此前的设备设计都是通过增加硅保护层来减少或防治金属离子污染的产生。
参考来源 - 离子注入中金属污染的防治措施·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The implanted dopant has a first dopant profile in the silicon layer.
所注入的掺杂剂在硅层中具有第一掺杂剂分布。
But the design requires that this silicon layer be no more than five nanometres (billionths of a metre) deep.
但此设计要求硅片厚度不超过5纳米(一米的十亿分之一)。
The quality of top silicon layer formed by anneal at low temperature may be better than that at high temperature.
通过低温退火，可以获得质量优于高温退火的顶部硅层。
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