...在该半导体基板之上的第一半导体材料及在该第一半导体材料的一部分之上的第二半导体材料，其中该第二半导体材料包含硅锗碳(SiGeC)，且其中该第一半导体材料为硅外延层。该半导体结.
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飞思卡尔DVB-H接纳IC采用0.35μm碳硅锗 (SiGeC)双极CMOS技能，最低接纳活络度为-85dBm，低通滤波器为逆切比雪夫型。本机振荡器的相位噪音方面，1.45MHz偏置时为-133dBc/Hz。
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