本项目开展基于成熟Si集成电路工艺的SiGe HBT(异质结双极晶体管)高增益、超宽带、低噪声放大器(LNA)的研究，主要包括进行基于Si工艺的LNA的稳定性和可靠性、噪声减少、增益平坦化优化设计方法研...
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锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）作为微波毫米波范畴中异常主要的高速固态器件，因为具有功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好、单电源任务、芯单方面积小和机...
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3.4 SiGe 基区异质结双极型晶体管 SiGe 基区异质结双极型晶体管(SiGe HBT)是利用SiGe 合金特性制成的器件。自 1987 年采用MBE 技术首次制作出SiGe 基区HBT 以来，SiGe 集成电路的规模和电 路的速度不断发...
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pnp SiGe HBT pnp型SiGe
power SiGe HBT 功率SiGe
microwave power SiGe HBT 微波功率SiGe
SiGe BiCMOS HBT technology SiGeBiCMOSHBT工艺
Based on the newest resources and correlative data, the second chapter analyzes and describes SiGe HBT device on high frequency, and DC and RF performance in detail.2) Secondly, the fundamental theory and knowledge are discussed in the third chapter.
第二章基于所查阅的最新资料数据,对先进的锗硅HBT器件高频噪声性能及其最新的DC和RF性能进行了详细阐述。 2)第二部分。
参考来源 - SiGe BiCMOS射频宽带低噪声放大器技术研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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