...i):硅或掺杂二氧化硅的波导表现出非常低的光损耗,使其成为交换机、滤波器及干涉应用的理想选择,例如调制器和交换机。 硅锗(SiGe):硅锗是硅和锗的合金,用于制造混合信号和模拟集成电路,非常适合用于100G系统的高速放大器。
基于2890个网页-相关网页
...B)。通过使用非晶半导体、晶体半导体或半非晶半导体来形成岛形半导体膜43。在任何情况中，均有可能使用包含诸如硅或锗化硅(SiGe)作为其主要成分的材料的半导体膜。 在该实施例中，形成具有膜厚度70nm的非晶硅，还对非晶硅的表面给予使用含有镍的溶液的处理。
基于956个网页-相关网页
SiGe HBT 异质结双极晶体管 ; 锗硅异质结双极晶体管
Poly-SiGe 多晶硅锗 ; 多晶锗硅
a-SiGe 非晶硅锗
Sige On Harrogath 哈洛加斯围城战
SiGe alloys SiGe合金
SiGe Epi deposition 锗硅外延生长设备
SiGe合金 SiGe alloys
Frozen SiGe Chip 冷冻硅锗芯片
SiGe alloy 硅锗合金
The stabilization of austenite depends on the chemical stabilization, the particle sige effect and the austenite thermal stabilization.
奥氏体稳定化取决于化学稳定化、尺寸稳定化和热稳定化；
SiGe multi quantum Wells normal incidence intersubband absorption dispersion effect.
标签硅锗多量子阱垂直方向子带间吸收色散效应。
Modern advanced epitaxial growth technology has made the widely application of SiGe strained layer materials possible.
现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能。
应用推荐