该单晶氮碳化矽 (SiCN) 缓冲层(buffer layer) 的晶格常数为 4.36Å 小于单晶矽的 5.43Å，因此在氮碳化矽 上面所成长的矽在成长面之两轴有压缩应变 (comp...
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...之类的源自硅烷的材料，以及其它用来制造半导体的含二氧化硅的涂料。不幸的是，以高去除速率去除含二氧化硅材料的浆液也容易去除下面的掩模、覆盖材料，例如碳氮化硅(SiCN)、氮化硅(SiN)和碳化硅(SiC)。对这些下垫层不受控制的去除会对集成电路的最终性能造成不利影响。
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SiCN thin film SiCN薄膜
SiCN薄膜 SiCN thin film
nano-SiCN 纳米SiCN
SiCN absorber SiCN吸收剂
amorphous SiCN 非晶SiCN陶瓷
nanometer SiCN 纳米SiCN粉
SiCN nano-powder SiCN纳米粉
n-type SiCN film n型SiCN薄膜
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