在此基础上制备的MCP称为硅微通道板(Si-MCP),其技术与AT-MCP技术基本一致,只是在硅基微孔深通道阵列的形成阶段采用了硅电化学微加工技术。
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具体实施方法为：首先通过光助电化学刻蚀工艺得到具有三维有序结构的多孔硅微通道(Si-MCP),随后通过无电沉积的方法在多孔硅的孔壁均匀沉积一层金属镍,最后通过向孔道中引入苦味酸,使得苦味酸与金属镍反应生成苦味酸镍含能...
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Si MCP 硅微通道板
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