单异质结双极晶体管(Single Heterojunction Bipolar Transistor)
研发出了带发射极钝化边沿的GaInP／GaAs单异质结双极型晶体管（SHBT），并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比，结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性，对器件的高频特性无明显影响...
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与双异质结晶体管(DHBT)相比，单异质结晶体管(SHBT)的速度更快，外延结构更简单。近年来，关于InP/InGaAS SHBT的研究相继展开，Walid等制作的0.25拼m发射区Inp/I
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