（二）单粒子栅穿（SEGR）的加固设计 当高能粒子从器件的栅区入射到器件中时，粒子入射后沿着轨迹在栅介质层和半导体材料中产生大量的电子空穴对，SEG...
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...ned )在高线性能量传递水平时受到单粒子闭锁（single event latchup,SEL）和单粒子门爆裂（single event gate rapture, SEGR）的支配。
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SEGR Segment Reverse 线段的方向调整
Emilio Segr è 由西格雷
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