由于电阻式随机存取存储器的简单的结构和与互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造工艺的兼容性，电阻式随机存取存储器(RRAM)是下一代非易失性存储器的有前景的候选。
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...2015年展开第一期研究，在前瞻性基础科学研究和部分研究成果转化应用方面成绩显著。期间完成了新型微电子材料和结构、基于新型微电子器件的电路设计、集成加工技术及应用等三个方面的计划任务，建立了阻变存储器（RRAM）的物理模型，提出了RRAM的基础理论和关键技术方法，实现了高性能RRAM器件及其三维集成，在国际上产生了重要影响，多项工作被列入...
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摘要：随着现代科技生活的飞速进展，现有的信息存储器件已经不能满足人们的高需求，电阻式随机存储器(RRAM)作为一种新型的非易失性存储器，以其所具有的高速度、高密度、低功耗、制备简单等优点而越来越受到关注，有望成为下一代主要的通...
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Therefore, RRAM has been proposed to be one candidate of next-generation nonvolatile memory.
因此，极有可能成为下一新世代非挥发性记忆体的主流之一。
Resistive random access memory (RRAM) is one of the most promising candidates for next generation of non-volatile memory.
在各种新型非挥发性存储器中，阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。
Resistive random access memory (RRAM) is anticipated to be the promising next generation non-volatile memory operating with fast switching speed, low power consumption and nondestructive readout.
电阻型随机存储器（RRAM）以其运行速度快、功耗低和非破坏性读出等特性，被预期为理想的新一代非易失存储器。
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