采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术在弛豫Si1-xGex虚拟衬底上赝晶生长应变硅层,以其为沟道材料制造得到的应变硅n-MOSFET表现出显著的性能提升.
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...够生长多量子阱(MQW)架构，这种架构可使LED实现更高亮度里程碑。该里程碑涉及到通过在MOCVD用低温远程等离子化学气相沉积(RPCVD)在p型GaN上生长MQW。 氮化铟镓(InGaN)量子阱要在后续的MOCVD生长p型GaN工艺步骤的渐升温度中降解，这会导致LED的亮度降低。
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...下描述，但所述蚀刻工艺可在其他类型的等离子体处理室进行，如在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理室、远程等离子体CVD(RPCVD)处理室等中处理。在感应耦合等离子体(ICP)工艺中，能量由通过电磁感应(或时变磁场)所产生的电流供给。
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利用二硅乙烷(Si2H6)或三硅丙烷(Si3H8)作为一第一反应气体，进行减压化学气相沉积(reduced pressure CVD，RPCVD)以在一基底上依序沉积一渐进(step-graded)硅锗缓冲层及一硅锗上盖层。
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