带间共振隧穿二极管（RITD）是导带与价带间发生共振隧穿的两端器件，其特点是启始电压VT和峰值电压VP较低，电流峰谷比PVCR较大。
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摘要：两种不同的基于硅谐振带间隧道的二极管（RITD）增加了低温分子束外延（LT-MBE）的射频性能进行了研究。
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Si基共振带间隧道二极管（RITD），在该地区已经取得了相当大的进展。
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[Adele]B·翻唱：泪往心流（RITD）_adele吧
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physical model of RITD RITD物理模型
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