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结合已经过证实的抗辐射加固设计(RHBD)技术和改进的工艺，提供极佳的中子测试结果。无论它是局部的、连续的还是三模冗余(TMR)，安森美半导体可定制ASIC开发流程以满足宽...
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RHBD（辐射硬化的设计）技术应用到抗辐射DC-DC升压转换器，这是一个标准的商业0.35微米CMOS工艺制造。电路和设备级RHBD技术来提高耐辐射能力。
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在全军事温度范围（-55°C至+ 125°C）•辐射固化设计（RHBD）技术•配置内存轨道翻转率（GEO）•配置控制逻辑单事件功能中断（SEFI）轨道翻转频率（GEO）。
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